最新消息9月8日消息 不久前，三星开始出货首批1z纳米（12-14nm）光刻工艺的A Die芯片，外媒WCCFTECH认为，A Die芯片的出现将使得DDR4 内存更加便宜。

WCCFTECH表示，三星的DDR4 B Die是在20nm制程上制造的，价格相对昂贵，但却受到了世界各地超频爱好者的喜爱，因为这些内存可以达到非常高时钟速度。

相比之下，三星的A Die采用1z nm制程，这将使三星在大幅降低RAM价格的同时增加产量。

虽然10nm制程具有更高的规模经济效益和更小的物理模具，但也存在一些问题。三星A-die内存编号M378A4G43AB2-CVF，支持高密度双面设计，容量32 GB，时钟速度没有什么特别之处(2933 MHz)，但是CL21-21-21的时序却很高。相比之下，大多数DDR4三星B Die在这个频率下可以低至CL17。不过，值得注意的是，随着三星流程的成熟，这一点可能会得到改善。

WCCFTECH认为，三星的B-die可能突然变得昂贵得多。英国电子零售商MemoryCow已将三星M378A4G43AB2-CVF模块上市，售价英镑，约1100元。