最新消息11月12日消息 根据外媒TechPowerup的消息，SK海力士公司宣布已开发出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。与上一代1Xnm DRAM相比，该产品的效率提高了20％，功耗降低了15％以上。它还支持高达3,200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。该公司采用“4相时钟”方案，使时钟信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。

SK海力士还推出了自己的Sense Amp 控制技术，以减少功耗和数据错误。SK海力士改进了晶体管结构，降低了数据错误的可能性。该公司还降低了芯片的功耗，以防止不必要的损耗。

“这款1Ynm 8GB DDR4 DRAM为我们的客户提供了最佳的性能和密度，”DRAM营销主管Sean Kim说。“SK海力士计划从明年第一季度开始出货，积极响应市场需求，”他补充说。

SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域，后来扩展到其他各种应用，如移动设备。