无线电频谱是国家宝贵的战略资源。2016年，美国率先发布5G频率规划，规划了5G高、中、低频，但在5G产业初期选择高频段部署5G，一时间吸引了不少国家效仿。

不同的频谱对器件、芯片乃至终端、基站的要求并不一致，各国的技术储备也有明显区别。业界专家阚润田认为，2021年11月，中国顶住压力，综合考虑在芯片设计、生产制造等方面的优势和差距，准确研判，在国际上率先发布5G中频段频率规划，并率先重耕5G低频段，与中频段同期展开大规模部署。

目前，中频段已经成为国际5G初期部署的主流频段。不过，今后毫米波仍将在5G商用中起到重要作用。在高频器件领域，设备厂商对器件厂商有哪些需求和建议？在日前举办的2019汇芯（中国）产业技术发展论坛上，中兴通讯5G规划总工张国俊介绍，5G高频专用器件包括相控芯片、变频器、毫米波放大器等，技术难度高，有较长市场周期，需要做技术的提前布局。此外，中高频共用器件如PLL/时钟、transceiver、AD/DA、光模块/光芯片、滤波器，同样具备高技术难度。

▲中兴通讯5G规划总工张国俊

张国俊认为，宽带低功耗AD/DA适合5G商用竞争力的器件厂家较少，而多通道集成transceiver需要包括AD/DA、射频等更多技术集成，终端类集成SOC还无法达到无线基站对大带宽和高性能的要求。业界必须结合5G商用周期，制定3~5年产品路标，对这些器件所需的工艺和IP进行研发，推出具有竞争力的商用芯片。

此外，业界传统相控阵系统技术已有积累，但应用场景有较大差异，不适合5G商用对整机小型化、低功耗、低成本的需求，需要针对5G商用做低成本、降复杂度移植。

在射频器件领域，5G毫米波也缺少高集成、低功耗、低成本芯片，厂家技术需和设备商需求进行对标，实现相控阵射频芯片的集成化和单片化。

高频突破1Gbps带宽的模数转换芯片，国内差距很大，IC企业和封测企业需要参考基站设备交付要求，提前建立产能和规模交付质量。

对于中高频所需的大功率器件，需要采用GaN工艺，国内GaN工艺在5G领域的应用研究起步较早，但技术能力和器件的批量性能，仍不足应对市场竞争。无论是器件制造商、5G衬底材料供应商，还是封装测试厂商，都需要提前做好技术储备，为GaN器件的规模量产做好准备。