最新消息 5 月 23 日消息，华为此前发布了一篇介绍存储器的文章 ——《华为麒麟带你一图看懂存储器》。在文章最后华为表示，随着芯片尺寸的不断微缩，DRAM 工艺的微缩变得越来越困难，平面 DRAM 的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，当今各大厂商都在研究 3D DRAM 作为解决方案来延续 DRAM 的使用。

多个日本媒体表示，华为将在 VLSI Symposium 2022（6 月 12 日～17 日在夏威夷举行）上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术，进行各种有关内存的演示。

报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧 IGZO-FET（由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物）材料的 CAA（Channel-All-Around）构型晶体管 3D DRAM 技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。

IGZO 是一种不算陌生的氧化物，早在 2004 年就由东京工业大学的细野教授发现并发表在《自然》杂志上。

▲ CAA 型 IGZO FET 垂直截面 SEM 图像和 EDX 可视化元素分布（图源:VLSI symposium）

除华为之外，日媒还表示 IBM、三星、英特尔、meta、斯坦福大学、乔治亚理工学院等都将提出存储领域的新突破。

最新消息了解到，华为此前已在存储领域进行深度研究，此前就表示要针对数据存储领域关键根技术进行突破。

根据此前报道，在去年举办的 IEDM 2021 上，中科院微电子所李泠研究员团队联合华为 / 海思团队，首次提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆叠，通过将上下两个 CAA 器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至 4F2，使 IGZO-DRAM 拥有了密度优势，有望克服传统 1T1C-DRAM 的微缩挑战。