最新消息8 月 16 日消息，据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND（V8）的最新 UFS 闪存。

根据 SK 海力士制定的 UFS 内存开发计划，其将在 UFS 闪存上主要搭载 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士开发的世界上首个 238 层 NAND 闪存，与 176 层 NAND（ V7 ）相比能源消耗减少了 21%。其采用了 4D 封装技术，与 3D 封装相比，前者在减少单位单元面积的同时，生产效率也更高。

THELEC 还透露了 SK 海力士正在开发的 UFS 闪存的数据处理速度:连续读取 4000 MB/s，连续写入 2800 MB/s。外形规格为 11×13×。仅从速度来看，现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。

作为对比，三星在 5 月 4 日首发的 UFS 的闪存采用的是 176 层 NAND（V7），连续读取 4200 MB/s，连续写入 2800 MB/s，外形规格为 11×13×1mm。

此前有消息称 SK 海力士 238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 ，相比前一代产品提高了 50%，现在来看还未应用到 UFS 中。

▲ SK 海力士开发的 238 层 512GB TLC 4D NAND 闪存

最新消息了解到，据 THELEC 称，目前，SK 海力士已经向主要客户公司供应了 238 层 NAND 样品，计划明年上半年量产，因此，搭载 V8 NAND 的 UFS 内存也有望最早从明年上半年开始批量生产。

UFS 闪存是是今年 5 月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为 Gbps，是之前 UFS 的两倍，带宽越大，数据处理速度就越快。