10 月 31 日，据韩媒报道，10 月份内存半导体 DRAM 价格下跌近 10%，显示出第四季度 DRAM 市场行情“峰值出局”的担忧正在成为现实。

据 TrendForce 数据显示，10 月份 PC 用 DRAM 通用产品（DDR4 8GB）成交价为 美元，环比降价 美元，比上一季度下降 ％。DRAM 自今年 1 月份起一直保持价格上升趋势，此次是全年首次降价。

半导体市场调查企业 DIRAMEXCBAIX 透露，以 8 月 30 日为基准，PC 用 DRAM 通用产品现货价格与今年高点 3 月末（ 美元）相比下降了 36%。

半导体现货价格是通过代理店暂时进行的交易，与三星电子或 SK 海力士签订长期合同的固定交易价格不同。但是，现货价格以固定交易价格为先，而且往往会以一定时差收敛，因此被解释为固定交易价格下降的前兆。

10 月份 DRAM 价格暴跌是因为 PC 制造商担心供应链产能不足致供需受挫，从而提前确保了货量，导致库存增加。实际上，SK HYNIX 在 26 日发表的第三季度业绩中表示:“PC 需求减少，部分客户计划首先耗尽库存，因此价格协商存在长期化困难。”

目前，PC 制造商拥有 12~14 周左右的库存。除了 PC 行业外，智能手机行业因半导体器件供应不足，导致成品生产受挫，这也影响了内存半导体。最近，苹果将 IPHONE13 今年的出货量目标从最初的 9000 万部下调至 8000 万部。

但是三星电子内存战略营销室室长（副社长）韩振万在 28 日的业绩发表中表示，对于客户和公司就内存市场前景存在意见分歧，因此价格协商有点艰难。与过去相比，内存周期和变动幅度有所减少，而且三星电子的库存也较低，因此，目前的情况还不是非常担心。

据悉，三星电子和 SK 海力士为了应对未来内存市场的变化，将半导体库存水平减少到了最低水平，并根据行业变化迅速重组产品组合，同时减少成本，提高收益性的趋势也非常强烈。

三星电子计划，为应对内存不确定性，通过 14 纳米 DRAM、第 7 代 176 层 NAND Flash 生产线，进一步提高半导体成本竞争力。

三星电子最近投入量产的业界最小线宽 14 纳米 DRAM，共 5 个层应用了 EUV（极外线）工艺，实现了业界领先的晶圆密度。一片晶圆的 DRAM 数量比前几代增加约 20%，大大降低了晶圆成本。

SK 海力士也表示:“短期内 DRAM 市场的不确定性很高。”SK 海力士还推进了以收益性为中心的经营，而不是通过规模经济进行占有率竞争。