新华社报道，记者近日从位于西安高新区的三星（中国）半导体有限公司采访了解到，三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2021年3月开工建设，预计今年7月份建成，2021年一季度实现量产。

三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说，三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段，第一阶段投资70亿美元，第二阶段详细计划还未出炉，但预计会超过70亿美元，总投资将超过140亿美元。

2012年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，生产“V－NAND”闪存芯片。一期项目于2014年5月竣工投产。“一期项目计划投资70亿美元，实际总投资超过了100亿美元。”池贤基说。

据介绍，直接在中国生产“V－NAND”闪存芯片，将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说，三星半导体继续投建二期项目，表示他们对中国经济很有信心。

V-NAND有着在相同体积下容量增加、读写性能提升的优势。而三星的V-NAND存储硬盘处于市场前列，主要竞争对手来自美国的硬盘厂商西部数据。