最新消息4月13日消息 今天，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号: X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。长江存储X2-6070拥有/s高速读写性能和高容量，再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度。

最新消息了解到，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元 ，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的倍。

此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号:X2-9060），以满足不同应用场景的需求。