6 月 1 日消息，江苏南大光电材料股份有限公司发布公告称，宁波南大光电材料有限公司（以下简称“宁波南大光电”）自主研发的 ArF 光刻胶产品继 2020 年 12 月在一家存储芯片制造企业的 50nm 闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业 55nm 技术节点的产品上取得了认证突破。

据悉本次认证系选择客户 55nm 技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证，宁波南大光电研发的 ArF 光刻胶的测试良率结果符合要求，表明其具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。

ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。ArF 光刻胶的市场前景好于预期。随着国内 IC 行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。