最新消息1月2日消息 据韩媒koreaherald报道，三星电子事实上的领导者李在镕周四讨论了该公司将利用全球首个3纳米工艺技术制造芯片的战略。

李在镕当天参观了三星位于京畿道华城的半导体研发中心，这是他在2021年首次正式进行现场管理。李在镕谈到了该公司的计划，该计划旨在使用正在开发中的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技术，使全球客户订购的尖端芯片商业化。

GAA被称为当前FinFET技术的升级版，该技术能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺进一步提升。

三星去年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发，该公司正在研究下一代纳米工艺技术。三星称，与5纳米制程相比，3纳米GAA技术在逻辑区域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

三星发言人说:“李在镕对半导体研发中心的访问，再次凸显了三星承诺成长为非内存领域顶级芯片制造商的承诺。”

去年，三星宣布了一项亿美元的投资计划，目标是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。