最新消息 12 月 2 日消息，北京天科合达半导体近期发布了“8 英寸导电型碳化硅衬底”新产品。该公司介绍了“8 英寸导电型碳化硅衬底”新产品各项关键技术参数指标，并宣布将于 2023 年实现 8 英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。

最新消息了解到，2021 年徐州天科合达生产基地 6 英寸系列产品产能达全国首位，目前北京大兴总部基地 6 英寸产能正持续突破。

天科合达是国内碳化硅衬底领域龙头企业，一直持续突破更大尺寸、更高质量碳化硅衬底制备的关键核心技术。

各项指标公布如下:

（1）8 英寸碳化硅晶体 (直径可达 209mm) 及晶片外观图

（2）拉曼光谱测试数据表明，8 英寸碳化硅衬底 100% 面积为 4H 晶型 

（3）XRD 三点摇摆曲线数据显示，半高宽小于 20 arcsec

（4）位错缺陷密度测试结果显示，EPD＜4000 个每平方厘米，TSD＜100 个每平方厘米，BPD＜200 个每平方厘米，位错密度整体处于国际领先水平