最新消息讯  根据 Engadget的报道，作为世界最大固态硬盘制造商之一，三星计划将在旗下的SSD新产品中用上3-Bit MLC以及与TLC V-NAND一样为人所熟知的3D垂直V-NAND闪存技术，将取代旧爱HDD机械硬盘。

3bit V-NAND闪存，利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128GB，并且这种技术在最近推出的850 EVO已经开始投入量产。

在此之前，三星的V-NAND技术已经能够量产并且应用到自家的旗舰系列850 Pro固态硬盘上，同时这种技术也号称有着十年的生命期。对于渴望固态硬盘带来的高速快感，但是却因容量需求和价格被迫选择老式硬盘的用户，这必定是一个好消息。

科普:什么是3D V-NAND技术？

三星SSD全新3D V-NAND技术3D是指立体存储，V指的是垂直存储，说起来就是不再追求缩小cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元，这样也可以达到容量增多的目的。三星3D V-NAND技术分为两部分，3D(立体)化和V(垂直)堆叠化首先来看看3D化的含义:NAND使用的是浮栅极MOSFET，电子储存在栅极中，每次写入都会消耗栅极中的电子，一旦电子用光那就寿终正寝了三星放弃了传统的浮栅极结构，而是选择了用控制栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来。这种3D环形结构设计提升了储存电荷的的物理区域，从而提高性能和可靠性。