从本月开始，PCIe SSD固态盘将会陆续上市，对于用户而言，完全可以在等等看，因为厂商日子难过，会带来更多新技术和新优惠。

现在，三星宣布开始大规模生产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND，方案能带来2400MTps 的传输速度（对应的SSD传输速度轻松超过12GBps）。

得益于存储容量更大。V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装512GB容量也不超过，可以用于新一代智能手机。

按照三星的表述，与现有相同容量的闪存芯片相比，新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率，从而进一步降低了成本，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

在未来，三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3D闪存。