受益于新能源汽车、5G、光伏设备等领域发展，碳化硅（SiC）投资成为热点。

《科创板日报》记者获悉，SK海力士无锡投资公司已入股SiC晶圆厂商泰科天润，参与了其D轮融资，SK海力士无锡公司是SK海力士子公司。

这是SK海力士在中国第一笔碳化硅相关项目的投资。对于此次融资，《科创板日报》记者进一步联系采访泰科天润，但截至发稿未获回应。

《科创板日报》记者从行业人士获悉，此前SK集团便有关于SiC晶圆的产能计划，计划从今年的3万片增加至2025年的60万片。

实际上，SK集团近年来在碳化硅领域动作不断。今年1月，SK集团向生产SiC功率半导体的韩国企业Yes Power echnologies投资268亿韩元，收购该公司%的股份。

碳化硅是第三代半导体材料的代表之一，与前两代半导体材料相比的优势便是较宽的禁带，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。

根据IHSMarkit数据，2021年碳化硅功率器件市场规模约亿美元，受新能源汽车庞大需求的驱动等，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元。

根据Yole的预测，得益于5G基站建设和雷达下游市场的大量需求，用于氮化镓外延的半绝缘型碳化硅衬底市场规模取得较快增长，半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为4英寸）将由2021年的万片增长至2025年的万片，期间复合增长率为 %。

国内来看，碳化硅领域企业包括山东天岳先进、中车时代电气，两者均在科创板上市，此外，晶盛机电、基本半导体以及臻驱科技等近来也获融资，加码碳化硅领域。

碳化硅器件代工领域，国内企业包括中车时代电气、华润微（.SH）以及泰科天润等，其中泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。目前泰科天润的碳化硅器件 650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/-50A 等系列的产品已经投入批量生产。

在SiC外延的研发和量产方面，瀚天天成旗下产品已切入国际市场，SiC IDM则主要有泰科天润、世纪金光、基本半导体、中电科15所、中电科13所等。从产业链来看，SiC衬底是碳化硅器件的核心难点，国内涉及山东天岳等。

国际市场来看，碳化硅较为发达地区包括美国、日本及欧洲，其中美国CREE在碳化硅晶圆市场市占率超60%。