SK海力士宣布将推128GB内存DDR4  每秒2133Mb

【报道】4月8日消息，据国外媒体报道，韩国芯片制造商SK海力士今日宣布，已研发出全球首款单条容量128GB的DDR4内存，每秒传输2133Mb，预计明年上半年投入生产。

 据悉，DDR4内存采用硅穿孔技术（Through Silicon Via，TSV），是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。这项技术可大大改进传输数据速度金额效率，并支持动态随机访问存储器（DRAM）。

SK海力士表示，128GBDDR4内存传输速度可达每秒2133Mb，而之前的DDR3只有1333Mbps，几乎是后者的两倍。在消耗能量方面，DDR4工作只需 伏，而DDR3需要伏才能够运行。

SK海力士称，预计DDR4内存在2015年上半年才会投入生产。（露天）