7月27日消息，据国外媒体报道，芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%，以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。

这家芯片制造商表示，它将削减主要内存产品的产量，专注于高密度产品，以提高盈利能力。此外，该公司将重新考虑装配其M15和M16晶圆厂的计划，以减少资本支出。

2021年第二季度，由于SK海力士增加了72层3D NAND芯片的产量，而且总体需求有所增长，该公司的NAND闪存芯片出货量与上季度相比增长了40%，但平均售价下降了25%。

除了减少3D NAND晶圆的开工数量，SK海力士还将放缓其位于韩国青州附近的M15工厂洁净室空间的扩建速度。该工厂既能生产DRAM，也能生产3D NAND。

SK海力士还将推迟仁川附近M16工厂的设备安装。此外，该公司还透露，计划从2021年下半年开始，将其位于仁川的M10晶圆厂的部分生产线改造为CMOS图像传感器生产线，从而削减DRAM晶圆产量。

对于NAND闪存，SK海力士将从2021年下半年开始，专注于提高其72层3D NAND芯片的产量，扩大用于高端智能手机和SSD的96层4D NAND芯片的产量，并且还准备大规模生产128层1Tb TLC 4D NAND闪存产品。

日前，SK海力士发布了惨淡的2021年第二季度财报。财报显示，该公司的营收同比下滑了38%，至万亿韩元；营业利润同比下降了89%，至6380亿韩元（合亿美元），为三年来最低水平；净利润从去年同期的万亿韩元降至5370亿韩元（约合亿美元），较上年同期锐减88%。

该公司表示，其业绩不佳，是由于需求复苏弱于预期，以及中美紧张的贸易关系导致内存价格大幅下跌。（小狐狸）