在今天开幕的科技创新论坛会议上，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森除了探讨未来半导体工艺延续到的可能之外，还宣布了一个重要消息——台积电已经启动2nm工艺研发，预计四年后问世。

在台积电目前的工艺规划中，7nm工艺去年已经量产，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；

6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；

5nm全面导入EUV极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)，之后还有个增强版的N5P工艺。

3nm有望在2021年试产、2022年量产。

在3nm之后就要进入2nm工艺了，实际上台积电今年6月份就宣布研发2nm工艺了，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

不过台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，性能、功耗等指标更是无从谈起。