5月21日 消息:近日，全球最大的芯片代工厂台积电宣布，该公司联合台大、麻省理工宣布，1nm以下芯片已取得了重大进展，相关研究成果已发表于《自然》。

据Hexus等国外媒体报道，来自台积电，台湾大学和麻省理工学院（MIT）的研究科学家宣布，在电子领域的“超越硅”和2D材料的使用方面取得了突破，论文发布在《自然》杂志。他们声称，这项研究为1nm以下的电子制造工艺提供了一条途径，有助于突破当前半导体技术和材料的极限。

根据该研究论文，研究人员通过将硅与半金属铋（Bi）结合，用具有低接触电阻和高电流传输能力的2D材料代替了半导体的关键材料硅。

目前，台积电和三星电子是世界上仅有的两家可以批量生产7纳米以下半导体的公司，两家公司目前都在批量生产5纳米产品。

半导体行业专家一直在关注两家公司中的哪一家将首先开始批量生产3nm产品。众所周知，与5纳米制程相比，3纳米制程可使芯片尺寸减小35%，但其性能和电池效率分别提高15%和30%。

台积电有望在2022年年底开始批量生产3纳米产品。这家台湾半导体巨头正在投资120亿美元，在亚利桑那州凤凰城建设一条5纳米生产线。最近，该公司制定了一项计划，计划额外建造五条生产线，其中包括最先进的低于3纳米的生产线。

三星电子方面则宣布，它将在明年开始批量生产3纳米半导体。但是，台积电宣布在开发1nm以下核心技术方面取得了突破，从而领先一步。

三星电子在代工业务方面仍远远落后于其全球竞争对手台积电。根据市场研究公司TrendForce的数据，2021年，台积电以54%的份额领先全球晶圆代工市场，而三星电子则占有17%的份额，不到台积电的三分之一。