在连跌7个季度之后，NAND闪存市场将在今年底迎来转机，Q3季度闪存价格下跌幅度已经大幅收窄，预计Q4季度会由跌转涨，涨幅约为10%。

价格变化的同时，上游的闪存厂商也开始有新的动作了，韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元，额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程。

在中国西安，三星2014年投资70亿美元建设了第一期闪存工厂，主要生产第一代V-NAND闪存芯片。2021年，三星与西安政府签署了新的协议，将在2021年之前再次投资70亿美元建设第二座闪存工厂。

不过2021年的时候闪存市场还是牛市，价格上涨了一年多了，在2021年、2021年闪存价格接连下滑之后，三星建设西安工厂的速度也慢下来了。现在加速建设新工厂，实际上也是因为闪存市场即将迎来拐点，2021年普遍被看好，三星大举建设新工厂，有助于抢占更高的份额。