近日，SK海力士宣布，已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月，SK海力士还表示，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

SK海力士的4D NAND闪存技术是去年10月份官宣的，SK海力士这次使用TLC设计开发新产品，相比先前96层使用的QLC，TLC的性能、处理速度都有了不同程度的提升，还应用了垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。

利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5％，整体投资也比之前减少了60％。新的128层4D闪存单颗容量1Tb，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。

SK海力士相关人士表示，新闪存可以在电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。