8月26日消息，据国外媒体报道，台积电2021年度全球技术论坛和开放创新平台生态系统论坛24日开始在线举行，台积电在论坛上披露了多项芯片制程工艺方面的信息，5nm、4nm和3nm工艺均有提及。

台积电在官网披露的全球技术论坛重点信息显示，业界领先的5nm工艺在今年已大规模投产，随着产能持续提升，芯片缺陷密度的降低速度也要快于上一代工艺。

官网的信息显示，台积电的5nm工艺，可使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶体管的密度提升80%。台积电也在加速推进第二代5nm工艺在2021年量产，同第一代的5nm工艺相比，第二代5nm工艺可使芯片的速度提升5%，能效提升10%。

台积电在官网披露，他们还将推出4nm工艺，芯片的性能、能效和晶体管密度会有进一步的提升，满足更多产品的需求。4nm工艺将在2021年四季度开始风险试产，2022年大规模量产。

5nm之后下一个完整的工艺节点是3nm，台积电也在研发。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶体管的密度提升70%。