目前闪存技术正在不断升级迭代，各大闪存厂商为了升级容量降低原价，开始不断研发更高堆栈层数的闪存芯片。

近日据媒体报道，SK海力士宣布11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品，并比预期提前量产。本次样品包括1TB UFS 、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD，计划将于2021年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

在今年上半年，三星和SK海力士率先公开发布128层3D NAND，相较于96层3D NAND具有更高的容量以及更明显的成本优势。

除了三星、SK海力士，西部数据/铠侠、美光/英特尔等也研发了128层3D NAND，将正式打开TB级产品普及的战局。