近日，SK海力士宣布将增加其第一代10纳米级制造工艺（即1X nm）的DRAM产量，并将在下半年开始销售其制造的第二代10nm级制造技术（又名1Y nm）的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出，最终降低成本，并为下一代内存做准备。

SK海力士首款1Y nm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片，与使用其1X nm制造技术制造的类似器件相比，新工艺可将尺寸缩小20%，并将功耗降低15%。

据报道称，新1Y nm工艺不仅适用于年内增产的DDR4产线，也适用于DDR5、LPDDR5、以及GDDR6 DRAM的制造。有鉴于此，Sk海力士必须尽快提升二代10nm制造工艺。