最新消息11月29日消息 据新华社29日消息，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
众所周知，我国在光刻机等领域长期落后，此次通过验收的“表面等离子体超分辨光刻装备”拥有完全自主知识产权，打破了国外在高端光刻装备领域的垄断，也为纳米光学加工提供了全新的解决途径。
该装备也为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等领域提供了制造工具。
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