最新消息10月5日消息 日前，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样，全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构，预计2021年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。尽管如此，美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。

美光第四代3D NAND高达128层，阵列设计方法上继续使用CMOS。美光第四代3D NAND改变了用于栅替换的浮栅技术，这样可以降低尺寸和成本并提高性能。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔介入。

美光现阶段正提高96层3D NAND的产量，并于明年开始大量使用。128层3D NAND硬件不会立即导致每比特成本显着下降，但是会随着时间推移而下降。后续工艺节点也可能具有至少128层，并且如果被广泛使用，它将大大降低产品每比特成本。