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《中芯国际 FinFET N+1 先进工艺关键突破:国产版「7nm 制程」，不需要 EUV 光刻机》

最新消息10月11日消息 中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）今天发布:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET  N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。

最新消息获悉，官方介绍称，自 2019 年始，芯动在中芯 N+1 工艺尚待成熟的情况下，团队投入数千万元设计优化，率先完成 NTO 流片。基于 N+1 制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破 N+1 工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产 IP 生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm 等)到先进工艺（如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等）的不断跨越，在各先进工艺中规模 IP 授权和定制批量生产高端 SOC，包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先进技术规模量产。